据报道，紫光集团旗下长江存储宣布，在上海中国国际半导体博览会举行前夕，已开始量产基于XtackingR架构的64层“三阶储存单元”3D NAND闪存。

所谓3D NAND是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来，形成多层结构提供容量，使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

未来，随着云计算、大数据、5G技术及AI智能的发展，人类对数据存储要求越来越挑剔，三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要领域。目前，存储芯片市场竞争异常激烈。2018年，64层、72层的3D NAND闪存是主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，各大厂商预计进入128层3D NAND闪存的量产。长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩如三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头大厂垄断下，长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具一格。